Опис

КТ814Б Транзистори – біполярні, кремнієві планарно-эпітаксіальні транзистори, які мають структуру p-n-p. Призначені для роботи в вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, ключових каскадах і інших вузлів радіоелектронної апаратури широкого застосування.

Основні технічні характеристики транзистора КТ814Б:

• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max – Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт;
• fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц;
• Uкеr max – Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 50 В (0,1 кОм);
• Uебо max – Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 1,5 А;
• Iк і max – максимально допустимий імпульсний струм колектора: 3 А;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,05 мА (40В);
• h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 40;
• Ск – Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ;
• Rке нас – Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1,2 Ом.