Опис

КТ825Г , КТ825Д
Транзистори кремнієві мезапланарні структури р-n-р
підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах та
перемикаючих пристроях. Транзистори 2Т825А – 2Т825В,
КТ825Г-КТ825Е випускаються в металевому корпусі зі скляними ізоляторами і жорсткими виводами.

Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзистора в металевому корпусі не більше 20 г

Паяння виводів транзисторів допускається не ближче 5 мм
від корпусу при температурі припою не більше +260 °С на протязі
не більше 3 с, час лудіння виводів не більше 2 с.
При включенні транзистора в ланцюг, що знаходиться під
напругою, базовий вивід повинен приєднуватися першим і
відключатися останнім.
Допустиме значення статичного потенціалу 1000 В.