Опис

КТ850А Транзистори кремнієві мезапланарні структури n-p-n підсилювальні.
Призначені для застосування в підсилювачах потужності, що перемикають пристрої.
Використовуються для роботи у вузлах та блоках електронної апаратури загального призначення.
Випускаються у пластмасовому корпусі з жорсткими виводами.

аналоги : 2SC216B, 2SD610, 2SD1017, D44T1, NSD36B, FT47.

Основні технічні характеристики транзистора КТ850А:

• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max – Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 25 Вт;
• fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 20 МГц;
• Uкбо max – Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 250 В;
• Uебо max – Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 2 А;
• Iк і max – максимально допустимий імпульсний струм колектора: 3 А;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 100 мкА (250В);
• h21е – Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 40…200;
• Ск – Місткість колекторного переходу: не більше 35 пФ;
• Rке нас – Опір насичення між колектором та емітером: не більше 2 Ом;
• tрас – час розсмоктування: не більше 1500 нс.