Болометр – прибор для измерения энергии излучения. Был изобретен Самуэлем Пирпонтом Лэнгли в 1878 году. Основной компонент болометра – очень тонкая пластинка, зачерненная для лучшего поглощения излучения. Из-за своей малой толщины пластинка под действием излучения быстро нагревается и ее сопротивление повышается.
Болометр БП12, BP12, BP1-2.
Болометры Полупроводниковые БП1-2
ОЖО.468.100 ТУ
Редакция 1-70 лист 25
Паспорт
на иммерсионный полупроводниковый болометр типа БП1-2 №—.
Болометр проверен на соответствие ТУ и признан годным к эксплуатации.
Основные технические данные
Общее напряжение – 200 +\- 5В.
Сопротивление элементов:
активного – 2.43МОм,
компенсационного – 2.51МОм.
Шумы – 0.2мкв Гц -1/2
Чувствительность:
интегральная – 133800 в/Вт.
пороговая – 1.5 10 -12 Вт. Гц -1/2
Обнаружительная способность Дх
17,6 109 см.вт.-1 Гц 1/2
Постоянная времени – 3.38 мсек.
Угол зрения <= 5°.
Световой диаметр – 14 мм.
Иммерсионная линза германиевая с радиусом 13.002 мм и толщиной, равной заднему фокусному расстоянию – 17.33 +\- 0.02 мм.
Примечание: 1. Параметры болометра измерены при температуре 25°С.
2. Интегральная чувствительность и шумы измерены на частоте 20 Гц. Источник излучения – “черное тело” с температурой излучающей поверхности – +300 °С.
Схема Болометра и обозначения выводов:
Цвет Выводов | Выводы болометра |
Красный | Активный элемент |
Белый | Компенсационный элемент |
11.11.70
Информация о содержании драгметаллов отсутствует.
Фото болометра:
Болометр Напівпровідниковий БП1-2
ОЖО.468.100 ТУ
Редакція 1-70 лист 25
Паспорт
на іммерсійний напівпровідниковий болометр типу БП1-2 № —.
Болометр перевірений на відповідність ТУ і визнаний придатним до експлуатації.
Основні технічні дані
Загальна напруга – 200 + \ – 5В.
Опір елементів:
активного – 2.43МОм,
компенсаційного – 2.51МОм.
Шуми – 0.2мкв Гц -1/2
Чутливість :
інтегральна – 133800 в / Вт.
порогова – 1.5 10 -12 Вт. Гц -1/2
обнаружительную здатність Дх
17,6 109 см.вт.-1 Гц 1/2
Постійна часу – 3.38 мсек.
Кут зору <= 5 °.
Світовий діаметр – 14 мм.
Іммерсійна лінза германієва з радіусом 13.002 мм і товщиною, рівній задньому фокусної відстані – 17.33 + \ – 0.02 мм.
Примітка: 1. Параметри болометра виміряні при температурі 25 ° С.
2. Інтегральна чутливість і шуми виміряні на частоті 20 Гц. Джерело випромінювання – “чорне тіло” з температурою випромінюючої поверхні – +300 ° С.
Semiconductor bolometers BP1-2
OZHO.468.100 TU
Edition 1-70 sheet 25
Passport
for an immersion semiconductor bolometer of BP1-2 type No. —.
The bolometer has been checked for compliance with the TU and recognized as suitable for use.
Basic technical data
Total voltage – 200 + \ – 5V.
Resistance of elements: active – 2.43MΩ, compensation – 2.51MΩ.
Noises – 0.2μV Hz -1/2
Sensitivity :
integral – 133800 V / W.
threshold – 1.5 10 -12 W. Hz -1/2
Detectability Dx
17.6 109 cm WT-1 Hz 1/2
Time constant – 3.38 msec.
Angle of view <= 5 °.
Light diameter – 14 mm.
Immersion lens germanium with a radius of 13.002 mm and a thickness equal to the back focal length – 17.33 + \ – 0.02 mm.
Note: 1. The bolometer parameters were measured at a temperature of 25 ° C.
2. Integral sensitivity and noise are measured at 20 Hz. The radiation source is a “black body” with a temperature of the radiating surface – +300 ° C.