Составной Транзистор КТ827 А Б В 2Т827 А Б В

Опис

Купить Цена Составной Транзистор КТ827А,  КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В.

Количество уточняйте!
Цена за 1 штуку б.у. – 45грн!
Новых нету!
Все транзисторы проверяем на пробой!

Звоните заказывайте по номеру телефона выше или заказывайте тут на нашем сайте Ретро-ИФ.

ОПТ(от 50штук) – по 40грн!

Транзисторы КТ и 2Т считаем одинаковыми, тоесть для нас
КТ827А = 2Т827А.

Состояние по фото!
Отправляем!
Дополнительные фото и видео и информация по запросу!

Транзисторы n-p-n, составные, большой мощности, средней частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе, предназначенные для работы в ключевых и линейных схемах, узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Составной транзистор КТ827 аналог, графики входных и выходных характеристик. Подробные параметры, размеры и цоколевка транзисторов КТ827А, КТ827Б, КТ827В.

Транзисторы биполярные 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В (составной) структуры n-р-n усилительные, предназначены для использования в выходных каскадах усилителей мощности, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, в ШИМ-преобразователях, в схемах управления электроприводом, электронных системах управления защиты и автоматики. Транзисторы 2Т827А—2Т827В, КТ827А—КТ827В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 .
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).

Цоколевка и размеры корпуса Кт827 2т827

Технические характеристики

Основные технические характеристики транзисторов КТ827:

Предельные параметры КТ827 2Т827

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{K max}):

• КТ827А, Б, В – 20 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{K, и max}):

• КТ827А, Б, В – 40 А

Граничное напряжение (U_{KЭ0 гр}):

• КТ827А – 100 В
• КТ827Б – 80 В
• КТ827В – 60 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (U_{KБ0 max}):

• КТ827А – 100 В
• КТ827Б – 80 В
• КТ827В – 60 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}):

• КТ827А, Б, В – 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (P_{K max}) при температуре корпуса 25° C:

• КТ827А, Б, В – 125 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Т_{п max}):

• КТ827А, Б, В – 200° C

Значения параметров КТ827 при Т_{перехода}=25^oС

Статический коэффициент передачи тока (h_21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (U_КЭ) 3 В, при постоянном токе коллектоpа (I_К) 10 А:

• КТ827А, Б, В – 750…18000

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

• КТ827А, Б, В- 2 В

Обратный ток коллектоp-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер (I_КЭR)

• КТ827А, Б, В – 3 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

• КТ827А, Б, В – 4 МГц

Емкость коллектоpного перехода (C_К)

• КТ827А, Б, В – 400 пф

Емкость эмиттеpного перехода (C_Э)

• КТ827А, Б, В – 350 пф

Время включения биполярного транзистора (t_вкл)

• КТ827А, Б, В – 1 мкс

Время выключения биполярного транзистора (t_выкл)

• КТ827А, Б, В – 6 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_Тп-к)

• КТ827А, Б, В – 1,4…10.9° С/Вт

Аналоги и замена

Зарубежные аналоги транзистора КТ827(2Т827): импортные 2N6057, BDX87.
Полного аналога нету.

Список возможных замен на зарубежные транзисторы:

Эквивалентная схема составного транзистора КТ827: