Составной Транзистор КТ827 А Б В 2Т827 А Б В

Опис

Купить Цена Составной Транзистор КТ827А,  КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В.

Количество уточняйте!
Цена за штуку нового или б.у. одна – 45грн!
Новые отдельно выбирать не будем!
Может попастся или новый или б.у.
Все транзисторы проверяем на пробой!

ОПТ(от 50штук) – по 40грн!

Транзисторы КТ и 2Т считаем одинаковыми, тоесть для нас
КТ827В = 2Т827В.

Транзисторы n-p-n, составные, большой мощности, средней частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе, предназначенные для работы в ключевых и линейных схемах, узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Составной транзистор КТ827 аналог, графики входных и выходных характеристик. Подробные параметры, размеры и цоколевка транзисторов КТ827А, КТ827Б, КТ827В.

Транзисторы биполярные 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В (составной) структуры n-р-n усилительные, предназначены для использования в выходных каскадах усилителей мощности, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, в ШИМ-преобразователях, в схемах управления электроприводом, электронных системах управления защиты и автоматики. Транзисторы 2Т827А—2Т827В, КТ827А—КТ827В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 .
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).

Цоколевка и размеры корпуса Кт827 2т827

 

Технические характеристики

Основные технические характеристики транзисторов КТ827:

Предельные параметры КТ827 2Т827

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{K max}):

• КТ827А, Б, В – 20 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{K, и max}):

• КТ827А, Б, В – 40 А

Граничное напряжение (U_{KЭ0 гр}):

• КТ827А – 100 В
• КТ827Б – 80 В
• КТ827В – 60 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (U_{KБ0 max}):

• КТ827А – 100 В
• КТ827Б – 80 В
• КТ827В – 60 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}):

• КТ827А, Б, В – 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (P_{K max}) при температуре корпуса 25° C:

• КТ827А, Б, В – 125 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Т_{п max}):

• КТ827А, Б, В – 200° C

Значения параметров КТ827 при Т_{перехода}=25^oС

Статический коэффициент передачи тока (h_21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (U_КЭ) 3 В, при постоянном токе коллектоpа (I_К) 10 А:

• КТ827А, Б, В – 750…18000

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

• КТ827А, Б, В- 2 В

Обратный ток коллектоp-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер (I_КЭR)

• КТ827А, Б, В – 3 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

• КТ827А, Б, В – 4 МГц

Емкость коллектоpного перехода (C_К)

• КТ827А, Б, В – 400 пф

Емкость эмиттеpного перехода (C_Э)

• КТ827А, Б, В – 350 пф

Время включения биполярного транзистора (t_вкл)

• КТ827А, Б, В – 1 мкс

Время выключения биполярного транзистора (t_выкл)

• КТ827А, Б, В – 6 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_Тп-к)

• КТ827А, Б, В – 1,4…10.9° С/Вт

Аналоги и замена

Зарубежные аналоги транзистора КТ827(2Т827): импортные 2N6057, BDX87.
Полного аналога нету.

Список возможных замен на зарубежные транзисторы:

КТ827А	КТ827Б	КТ827В
BDX65A BDX67 BDX87C MJ3521 MJ4035	2N6058 2N6283 BDX63 BDX65 BDX67 BDX85B BDX87B MJ3001 MJ4034	2N6057 2N6282 BDX85 BDX85A BDX87 BDX87A MJ3000 MJ3520 MJ4033

Эквивалентная схема составного транзистора КТ827: