КТ503В КТ502В транзистор кремнієвий

3.00

Транзистори нові.

Ціна вказана за штуку.

60 в наявності

Категорія: Позначки: , , ,

Опис

КТ503В
Транзистори КТ503В кремнієві епітаксійно-планарні структури n-p-n підсилювальні, середньої потужності.
Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах.
Випускаються у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками.
Маркуються цифро-літерним графічним або колірним кодом на корпусі транзистора.
На бічній поверхні корпусу наноситься умовне маркування – точка білого кольору, а на торці корпусу колірна мітка:
– для КТ503А – темно-червона;
– для КТ503Б – жовта;
– для КТ503В – темно-зелена;
– для КТ503Г – блакитна;
– для КТ503Д – синя;
– для КТ503Е – біла.

КТ502В
Транзистори КТ502В кремнієві епітаксійно-планарні структури p-n-p підсилювальні, середньої потужності.
Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах.
Випускаються у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками.
Маркуються цифро-літерним, графічним або колірним кодом на корпусі транзистора.
На бічній поверхні корпусу наноситься умовне маркування – точка жовтого кольору, а на торці корпусу колірна мітка:
– для КТ502А – темно-червона;
– для КТ502Б – жовта;
– для КТ502В – темно-зелена;
– для КТ502Г – блакитна;
– для КТ502Д – синя;
– для КТ502Е – біла

Технические характеристики транзисторов КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е :

Тип
транзистора
СтруктураПредельные значения параметров при Тп=25°СЗначения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR maxUКБ0 maxUЭБ0 maxРК maxh21ЭUКЭ
нас.
IКБОIЭБОIКЭRf гp.СКСЭ
ААВВВВтВмкАмкАмкАМГцпФпФ°С°С
КТ502А p-n-p0,150,35254050,3540…120<0,6<1>5<50125-40…+85
КТ502Б p-n-p0,150,35254050,3580…240<0,6<1>5<50125-40…+85
КТ502В p-n-p0,150,35406050,3540…120<0,6<1>5<50125-40…+85
КТ502Г p-n-p0,150,35406050,3580…240<0,6<1>5<50125-40…+85
КТ502Д p-n-p0,150,35608050,3540…120<0,6<1>5<50125-40…+85
КТ502Е p-n-p0,150,35809050,3540…120<0,6<1>5<50125-40…+85

Технические характеристики транзисторов КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е:

Тип
транзистора
СтруктураПредельные значения параметров при Тп=25°СЗначения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭ0 maxUКБ0 maxUЭБ0 maxРК max
(РК. Т. max)
h21ЭUКЭ
нас.
IКБОIЭБОf гp.КШСКСЭ
ААВВВВтВмкАмкАМГцдБпФпФ°С°С
КТ503А n-p-n0,150,35254050,3540…1200,61550125-40…+85
КТ503Б n-p-n0,150,35254050,3580…2400,61550125-40…+85
КТ503В n-p-n0,150,35406050,3540…1200,61550125-40…+85
КТ503Г n-p-n0,150,35406050,3580…2400,61550125-40…+85
КТ503Д n-p-n0,150,35608050,3540…1200,61550125-40…+85
КТ503Е n-p-n0,150,358010050,3540…1200,61550125-40…+85

Відгуки

Відгуків немає, поки що.

Будьте першим, хто залишив відгук “КТ503В КТ502В транзистор кремнієвий”“

Ваша e-mail адреса не оприлюднюватиметься.