Опис

КТ816Б   – кремнієві транзистори структури p-n-p підсилювальні.
Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах та імпульсних пристроях.

Структура транзистора: p-n-p
Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 25 Вт
Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц
КТ816Б  Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюгу база-емітер: 45 В (1кОм)